特許
J-GLOBAL ID：200903012926003945

微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法

発明者：
中野 隆志

中野 隆志 について

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桑原 正史

桑原 正史 について

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富永 淳二

富永 淳二 について

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阿刀田 伸史

阿刀田 伸史 について


出願人/特許権者：
工業技術院長

工業技術院長 について

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中野 隆志

中野 隆志 について

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桑原 正史

桑原 正史 について

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富永 淳二

富永 淳二 について

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阿刀田 伸史

阿刀田 伸史 について


代理人 (1件)： 工業技術院産業技術融合領域研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242778
公開番号（公開出願番号）：特開2001-066783
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 広い面積にわたり迅速に微細なレジストパターンを形成させることができ、しかも繰り返し使用可能な微細パターン形成用材料及びこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 感光層に、上下層を誘電性物質、中間層を非線形光学物質とする3層からなる近接場光発生用複合膜を積層した微細パターン形成用材料であり、感光層の上に上下層を誘電性物質、中間層を非線形光学物質とする3層からなる近接場光発生用複合膜を積層し、その複合膜を通して活性光により画像形成露光を行って微細パターンを形成する方法である。
請求項（抜粋）：
感光層に、上下層を誘電性物質、中間層を非線形光学物質とする3層からなる近接場光発生用複合膜を積層したことを特徴とする微細パターン形成用材料。
IPC (5件)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/004 511 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/12 630
FI (5件)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/004 511 ,  G03F 7/20 521 ,  H05K 3/12 630 Z ,  H01L 21/30 502 D
Fターム (8件)：
2H025AA02 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  5E343EE32 ,  5E343ER18 ,  5E343GG11
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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