特許
J-GLOBAL ID：200903012939802880

ダイオード及びその製造方法

発明者：
川崎 雅司

川崎 雅司 について

, 
福村 知昭

福村 知昭 について

, 
中野 匡規

中野 匡規 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 平山 一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080153
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244006
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】構造が簡単で容易に製作できる新規な酸化物半導体及び有機導電体からなるダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイオード1は、酸化物半導体2と酸化物半導体2上に形成される有機導電体3とからなる接合部8を備え、接合部8がショットキー接合特性を有する。酸化物半導体2は、好ましくは、酸化物半導体結晶や基板上に形成された酸化物半導体薄膜を用いることができる。酸化物半導体2は、TiO2又はSrTiO3からなり、酸化物半導体2には不純物が添加されていてもよい。有機導電体3は、PEDOT:PSSからなる薄膜を使用することができる。ダイオード1の整流特性は良好で製造も容易である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体と該酸化物半導体上に形成される有機導電体とからなる接合部を備え、 上記接合部がショットキー接合特性を有することを特徴とする、ダイオード。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (4件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/91 G ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250G
Fターム (4件)：
4M104AA03 ,  4M104BB36 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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