特許

J-GLOBAL ID：200903026500925285

ZnO系半導体素子

発明者： 中原 健 ,  湯地 洋行 ,  川崎 雅司 ,  大友 明 ,  塚崎 敦 ,  福村 知昭 ,  中野 匡規
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-021953
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211203
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】上述した課題を解決するために創案されたものであり、ZnO系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するZnO系半導体素子を提供する。【解決手段】ZnO系半導体1上に有機物電極2が形成されており、有機物電極2の上にはAu膜3が形成されている。ZnO系半導体1の裏面には有機物電極2に対向するように、Ti膜4とAu膜5の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極2とZnO系半導体1との接合界面は、pn接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ZnO系半導体に接して有機物電極が形成され、前記ZnO系半導体と有機物電極との間で整流特性を有することを特徴とするZnO系半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423

FI (4件)：

H01L31/10 H ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/58 Z

Fターム (32件)：

4M104AA06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104GG05 ,  4M104GG12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049NA20 ,  5F049SE05 ,  5F049SE06 ,  5F049SE12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GM01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GT10 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 縦型トランジスタおよび発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-092273   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (3件)

• 特開平4-302173
  
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-335898   出願人：国立大学法人東北大学
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230365   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司