特許
J-GLOBAL ID：200903012968798492

III-V族窒化物半導体素子及び発光装置

発明者：
千代 敏明

千代 敏明 について

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木原 久典

木原 久典 について

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兼山 直樹

兼山 直樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-393121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158904
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】III-V族窒化物化合物半導体素子の配光角と外部量子効率を向上させる。【解決手段】サファイ基板101と、III -V族窒化物半導体から成る発光層106と、発光層と基板との間に設けられた厚さ6μm以上の第1伝導形のIII -V族窒化物半導体から成る第1層104と、発光層に対して基板と反対側に設けられた厚さ122nm以上の第2伝導形のIII -V族窒化物半導体から成る第2層108とを設けたことを特徴とするフリップチップ形の発光素子である。第1層104と第2層108との厚さを所定値よりも大きくすることで、それらの端面から放射される光量を増大させた。これにより配光角と外部量子効率を増加させることができた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III -V族窒化物半導体を用いたフリップチップ形の発光素子において、 III -V族窒化物半導体とは異なる異種材料を用いた基板と、 III -V族窒化物半導体から成る発光層と、 前記発光層と前記基板との間に設けられた厚さ6μm 以上の第1伝導形のIII -V族窒化物半導体から成る第1層と、 前記発光層に対して前記基板と反対側に設けられた厚さ122nm以上の第2伝導形のIII -V族窒化物半導体から成る第2層と を設けたことを特徴とするフリップチップ形の発光素子。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (21件)：
5F041AA03 ,  5F041AA07 ,  5F041CA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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