特許
J-GLOBAL ID：200903017166316699
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 稔 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-053704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258300
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 より安価であってかつ発光効率が高められた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 この半導体発光素子10は、互いに表裏の関係を有する第1面20aと第2面20bとをもつシリコン単結晶基板20と、上記第1面20aの選択された領域に導電性を有する所定の中間層25を介して形成された窒化ガリウム系半導体層40と、上記窒化ガリウム系半導体層40の最上層に一部が接触させられ、かつ上記シリコン単結晶基板20に対して絶縁されている第1電極層51と、上記シリコン単結晶基板20の適部に形成された第2電極層52とを備えており、かつ、上記シリコン単結晶基板20には、上記窒化ガリウム系半導体層40から発せられた光を上記第2面20b側に導く導光路30が形成されている。
請求項（抜粋）：
互いに表裏の関係を有する第1面と第2面とをもつシリコン単結晶基板と、上記第1面の選択された領域に導電性を有する所定の中間層を介して形成された窒化ガリウム系半導体層と、上記窒化ガリウム系半導体層の最上層に一部が接触させられ、かつ上記シリコン単結晶基板に対して絶縁されている第1電極層と、上記シリコン単結晶基板の適部に形成された第2電極層とを備えており、かつ、上記シリコン単結晶基板には、上記窒化ガリウム系半導体層から発せられた光を上記第2面側に導く導光路が形成されていることを特徴とする、半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CB15
, 5F041DA04
, 5F041DA20
, 5F041DA44
, 5F041DA46
