特許
J-GLOBAL ID:200903012981720508

赤外線デバイス集積装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-047417
公開番号(公開出願番号):特開2007-227676
出願日: 2006年02月23日
公開日(公表日): 2007年09月06日
要約:
【課題】製造が容易で低コスト化が可能な赤外線デバイス集積装置を提供する。【解決手段】第1の半導体ウェハを用いて形成され赤外線放射素子と赤外線検出素子とのいずれか一方からなる赤外線デバイス13が一表面側においてアレイ状に配列されたベース基板1と、第2の半導体ウェハを用いて形成されベース基板1の上記一表面側において各赤外線デバイス13を囲む形でベース基板1の上記一表面側に接合されたカバー基板2とを備える。カバー基板2には、各赤外線デバイス13それぞれに対向する各部位に第2の半導体ウェハの一部からなるレンズ部23が形成され、ベース基板1とカバー基板2との外形サイズを同じとしてある。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の半導体ウェハを用いて形成され赤外線放射素子と赤外線検出素子とのいずれか一方からなる赤外線デバイスが一表面側においてアレイ状に配列されたベース基板と、第2の半導体ウェハを用いて形成されベース基板の前記一表面側において各赤外線デバイスを囲む形でベース基板の前記一表面側に接合されたカバー基板とを備え、カバー基板には、各赤外線デバイスそれぞれに対向する各部位に第2の半導体ウェハの一部からなるレンズ部が形成され、ベース基板とカバー基板との外形サイズが同じであることを特徴とする赤外線デバイス集積装置。
IPC (5件):
H01S 5/022 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/14 ,  H01L 35/32 ,  G01J 1/02
FI (7件):
H01S5/022 ,  H04N5/33 ,  H01L27/14 K ,  H01L35/32 Z ,  G01J1/02 Q ,  G01J1/02 C ,  H01L27/14 D
Fターム (31件):
2G065AB02 ,  2G065AB09 ,  2G065AB28 ,  2G065BA11 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065BB02 ,  2G065BB06 ,  2G065BB27 ,  2G065BE07 ,  2G065DA13 ,  2G065DA20 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA03 ,  4M118GC20 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA23 ,  4M118HA25 ,  5C024AX06 ,  5C024CY47 ,  5C024EX42 ,  5C024EX51 ,  5C024GX08 ,  5F173MD64 ,  5F173ME22 ,  5F173MF18 ,  5F173MF39
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 熱型赤外線イメージセンサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-009233   出願人:株式会社ニコン
  • 光学装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-293600   出願人:沖電気工業株式会社
審査官引用 (9件)
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