特許
J-GLOBAL ID:200903012998619487
酸化物超伝導薄膜およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-061414
公開番号(公開出願番号):特開2005-251592
出願日: 2004年03月04日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】 製造時の超伝導体の経時劣化なしに、高い臨界電流密度Jcを高い再現性で実現する超伝導薄膜の提供。【解決手段】 基板と、該基板上に形成され、ErBa2Cu3O7-δなる組成を有する酸化物超伝導相を含む超伝導層とを含む超伝導薄膜であって、超伝導層は少なくとも1つの空孔を含むことを特徴とする超伝導薄膜。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に形成され、ErBa2Cu3O7-δ(0≦δ≦1)なる組成を有する酸化物超伝導相を含む超伝導層とを含む超伝導薄膜であって、前記超伝導層は少なくとも1つの空孔を含むことを特徴とする超伝導薄膜。
IPC (7件):
H01B13/00
, C01G1/00
, C01G3/00
, C23C14/08
, C23C14/28
, C30B29/22
, H01B12/06
FI (7件):
H01B13/00 565D
, C01G1/00 S
, C01G3/00
, C23C14/08 L
, C23C14/28
, C30B29/22 501L
, H01B12/06
Fターム (29件):
4G047JA03
, 4G047JA05
, 4G047JC02
, 4G047KE02
, 4G047LA02
, 4G047LB01
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BC53
, 4G077DA03
, 4G077ED06
, 4G077FE03
, 4G077HA08
, 4G077SA04
, 4K029AA04
, 4K029BA50
, 4K029BC04
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4K029GA01
, 5G321AA02
, 5G321BA01
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321DB37
, 5G321DB46
, 5G321DB47
引用特許:
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