特許
J-GLOBAL ID:200903013001272730
球状半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
國分 孝悦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-210442
公開番号(公開出願番号):特開2000-031189
出願日: 1998年07月09日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 外部との接続性に優れた球状半導体装置を提供する。【解決手段】 表面に1つ以上の電極2を有する球状半導体素子1からなる半導体装置であって、球状半導体素子1の電極2の位置に導電性の球状バンプ10を形成した。電極2は、共通平面に接触するように配列されている。外部との接続対象となる球状バンプ10の1組に接触し得る平面Sもしくは球面と球状半導体素子1の表面との間に所定の間隙Gが形成されるように、1組の球状バンプ10を球状半導体素子1から突出配置する。球状バンプ10を介して、各種回路基板や他の半導体装置等と接続され、外部の電気的接続を容易かつ的確に行うことができる。
請求項(抜粋):
表面に1つ以上の電極を有する球状半導体素子からなる半導体装置であって、前記球状半導体素子の電極の位置に導電性の球状バンプを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
H01L 21/60
, H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
FI (6件):
H01L 21/92 602 N
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 602 J
, H01L 21/92 602 E
, H01L 25/08 B
, H01L 23/12 L
引用特許:
審査官引用 (8件)
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バンプ形成用金属粒
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-088397
出願人:住友特殊金属株式会社
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半導体チップ及びその実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-242790
出願人:株式会社日立製作所
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無鉛はんだを使用する相互接続構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-299962
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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金属バンプの形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-343599
出願人:富士通株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-129248
出願人:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
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バンプ構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-278272
出願人:日本電気株式会社
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半導体素子のバンプ形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-292078
出願人:シチズン時計株式会社
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特開昭62-266842
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