特許
J-GLOBAL ID：200903013092403114
圧電素子片の加工方法、及び圧電振動片の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-262139
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104365
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【解決手段】圧電振動片の主面に設けられる凹み領域の異なる深さの数に対応したn層(n≧2:整数)の耐蝕膜をウエハ両面に積層する。耐蝕膜各層は、互いにエッチング選択比が大きい例えばCr/Au膜のような2種以上の金属材料で構成する。耐蝕膜を振動片外形にフォトエッチングした後、最も浅い凹み領域以外の凹み領域の平面形状を深さ順に耐蝕膜にパターニングする。ウエハを貫通エッチングして振動片外形を加工した後、耐蝕膜最上層を最も浅い凹み領域の平面形状にパターニングして、振動片の表面形状に対応する立体構造の耐蝕膜を完成させる。耐蝕膜の露出部分を1層ずつ除去しながら、ウエハ露出面を順次ハーフエッチングする。【効果】所望の外形及び表面形状の圧電素子片を、より一層の小型化に対応しつつ、エッチング不良無く、高い形状精度で製造できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
圧電材料のウエハの表面にn(n≧2:整数)層の耐蝕膜を積層する工程と、
前記耐蝕膜の上にフォトレジスト層を形成し、フォトマスクを用いてパターニングし、露出した前記耐蝕膜の全n層をエッチングにより除去して、前記ウエハの表面を露出させる第1エッチング工程と、
残存する前記フォトレジスト層を除去した後、前記ウエハ全面に新たにフォトレジスト層を形成し、別のフォトマスクを用いてパターニングし、前記耐蝕膜の露出した1層をエッチングにより除去する第2エッチング工程と、
前記第2エッチング工程を、前記耐蝕膜の最下層が露出するまで繰り返し行う工程と、
残存する前記フォトレジスト層を除去した後、前記ウエハ全面に新たにフォトレジスト層を形成し、別のフォトマスクを用いてパターニングすることにより、前記耐蝕膜の最上層の上にレジストパターンを形成し、かつ前記第1エッチング工程において露出させた前記ウエハ表面を再度露出させる工程と、
再度露出させた前記ウエハ表面を貫通エッチングし、圧電素子片の外形を形成する工程と、
前記耐蝕膜の露出している各1層をエッチングにより除去し、かつそれにより露出した前記ウエハ表面を所定量ハーフエッチングする工程と、
前記ハーフエッチング工程を、前記レジストパターンを形成した領域を除いた前記ウエハの表面がハーフエッチングされるまで繰り返し行い、圧電素子片の表面形状を加工する工程と、
前記レジストパターン及びその下側の前記耐蝕膜を完全に除去する工程とからなることを特徴とする圧電素子片の加工方法。
IPC (4件)：
H03H3/02
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/22
H03H3/02 B
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101A
, H01L41/08 C
