特許
J-GLOBAL ID：200903013123349105
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-303275
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144801
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 熱的な均一性および熱放散効率が高く、かつ表面配線の微細化も同時に可能とする半導体集積回路を提供する。【解決手段】 半絶縁性半導体基板上に形成されたトランジスタを能動素子として用いる集積回路であって、トランジスタの主電極領域の一方と、該トランジスタの動作領域の近傍に設けられた該半導体基板に対する熱的接合領域を接続する熱伝導路を具備する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板上にトランジスタを搭載した半導体集積回路であって、該トランジスタの動作領域の近傍の該半導体基板の表面に熱的接合領域を設け、該トランジスタの一主電極と、該熱的接合領域とを接続する熱伝導路を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 27/095
H01L 27/06 102 D
, H01L 27/04 H
, H01L 29/72
, H01L 29/80 E
