半導体積層工程の合わせずれ測定方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332466
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】測定パターンの変化に因らず正確に合わせずれを測定することが可能になる半導体積層工程の合わせずれ測定方法を提供すること。【解決手段】半導体積層工程における所定の層の加工パターンと、その上層のレジストパターンとの位置合わせをするために、前記所定の層及びその上層に設けられる合わせマークの、基本パターンと測定パターンを比較することにより合わせずれ値を測定する際、測定パターンの形状変化を記憶し、モニターする。

請求項（抜粋）：

半導体ウエーハ上に成膜、露光、エッチングを繰り返し、複数のパターン層を積層して半導体装置を製造する工程において、形成された加工パターン層の一部にエッチングにより形成された下層合わせマークと、前記加工パターン層の上層に形成されたレジストパターン層の前記下層合わせマークに対応する部分にレジストパターンにより形成された上層あわせマークとを形成し、これらの下層合わせマークおよび上層合わせマークを直線的に走査して得られる画像信号の強度変化パターンを、基本パターン信号と比較することにより測定パターン信号を得、これらの測定パターン信号から合わせずれ値を測定する方法において、前記半導体装置の製造工程の各層において得られる測定パターン信号の形状変化をモニターし、この形状変化が所定の範囲を超えたとき、警報を発することを特徴とする半導体積層工程の合わせずれ測定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (4件)：

G03F 9/00 H , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 502 M , H01L 21/30 525 W

Fターム (8件)：

5F046AA25 , 5F046DB05 , 5F046DD02 , 5F046DD06 , 5F046FA04 , 5F046FA11 , 5F046FC03 , 5F046FC04

引用特許：

審査官引用 (6件)

フォトマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-349797 出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-000146 出願人：ソニー株式会社
位置検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-193049 出願人：株式会社ニコン

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