特許
J-GLOBAL ID：200903013166492157
表面活性化方法および表面活性化装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
梁瀬 右司
, 振角 正一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304568
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115825
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】被接合物の接合面の表面活性化処理を効率よく行うことで該被接合物どうしの接合強度の向上を図ることのできる技術を提供する。【解決手段】プラズマ処理前半において、酸素プラズマによって被接合物308の接合面を表面活性化処理した後、プラズマ処理後半において、酸素ラジカルを照射することで、被接合物308の接合面は、主にプラズマ中のラジカルと反応して、効率よく均一に表面活性化(親水化)処理される。さらに、続いて、効率よく均一に親水化処理された接合面に窒素ラジカルを照射することで、親水化処理された接合面に生成されたOH基が窒素置換されてON基に置換され、この状態で、被接合物どうしを重ね合わせることによって接合界面に窒素化合物(Si、O、Nの化合物)が形成され、常温〜100°C以下の低温でも被接合物どうしを強固に接合することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被接合物の接合面をプラズマで表面活性化処理する表面活性化方法において、
前記接合面に酸素プラズマを照射した後、酸素ラジカルを照射して該接合面を親水化処理し、その後、窒素ラジカルに切り換えて、前記接合面に窒素ラジカルを照射することを特徴とする表面活性化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/60
, H01L 21/52
H01L21/02 B
, H01L21/60 311T
, H01L21/52 F
