特許
J-GLOBAL ID：200903013193102786

半導体薄膜製造装置

発明者：
斎藤 広明

斎藤 広明 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368173
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173467
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】不純物の付着がほとんどなく、均一な薄膜の形成が可能で、成長薄膜の面内均一性を向上させることができる半導体薄膜製造装置を提供する。【解決手段】反応管12と、該反応管12内に配置されるサセプタ20と、該サセプタ20上に配置された基板22Aに負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、前記基板22Aの結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が180°未満となるように、前記基板22Aが設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応管と、該反応管内に配置されるサセプタと、該サセプタ上に配置された基板に負圧をかけてこれを保持する負圧発生手段と、を備え、 前記基板の結晶成長面の法線と鉛直下方向とのなす角度が180°未満となるように、前記基板が設置されることを特徴とする半導体薄膜製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 25/12 ,  C23C 16/458
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C30B25/12 ,  C23C16/458
Fターム (30件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EG03 ,  4G077HA05 ,  4G077TA12 ,  4G077TF04 ,  4G077TF05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030KA03 ,  4K030KA09 ,  4K030KA24 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045DP11 ,  5F045EE13 ,  5F045EM02 ,  5F045EM04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • CVD装置および薄膜製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-048887   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
  • 化学気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259261   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (4件)
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