特許
J-GLOBAL ID：200903013252272593

半導体シリコン基板の製造方法

発明者：
二宮 正晴

二宮 正晴 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 池条 重信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088969
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286094
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：
【要約】【課題】 BMDの結晶軸方向における不均一を抑制し、エピタキシャル層近傍にBMD等の欠陥を形成することなく、安価でIG能力に優れたシリコンウェーハを提供。【解決手段】 CZ法又はMCZ法にて単結晶シリコンを引き上げる際に、所定のカーボンを添加し、かつ引き上げ速度を所定の範囲で高速化することにより、育成した単結晶シリコンより切り出したシリコンウェーハのBMD密度が、結晶部位に関係なく、均一で安定して現れ、その後施されるIG処理など効果が単結晶のトップ〜ボトムにかかわらず均等に得られ、基板表面近傍のBMDを収縮・溶解を容易にして、エピタキシャル成長により形成したエピタキシャル膜を形成した場合でも、表面及び近傍に欠陥の無いエピタキシャルシリコンウェーハを得ることができる。
請求項（抜粋）：
CZ法又はMCZ法により、カーボンを不純物として導入し、単結晶引き上げ速度(mm/min)×単結晶直径(mm)が180mm2/min以上を満足する条件下で育成されたシリコン単結晶をウェーハに加工する半導体シリコン基板の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322
FI (5件)：
C30B 29/06 502 J ,  C30B 29/06 B ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 Y
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH04 ,  4G077EH09 ,  4G077FB01 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077FE12 ,  4G077FJ06 ,  4G077PF13 ,  4G077PF17 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045HA06
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM