特許
J-GLOBAL ID：200903013274218428

自己整列コンタクトパッドを備えた半導体素子及びその製造方法

発明者：
南 東 錫

南 東 錫 について

, 
金 智 秀

金 智 秀 について

, 
蔡 允 淑

蔡 允 淑 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138764
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068871
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 自己整列コンタクトパッドを具備する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体素子は半導体基板、長軸と短軸とを有する複数個の活性領域115を限定するように半導体基板に形成された素子分離膜120、活性領域115と交差して活性領域115の短軸方向に延びる複数個のゲート135、各ゲート135両側の活性領域115に形成された第1及び第2ソース/ドレーン領域140a、140b、及び第1及び第2ソース/ドレーン領域の上面に各々接しながら同じ大きさを有する第1及び第2自己整列コンタクトパッドとを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、長軸及び短軸を有する複数個の活性領域を限定するために前記半導体基板に形成された素子分離膜と、前記活性領域と交差して前記活性領域の短軸方向に延びる複数個のゲートと、前記各ゲート両側の活性領域に形成された第1及び第2ソース/ドレーン領域と、前記第1及び第2ソース/ドレーン領域の上面に各々接しながら同じ大きさを有する第1及び第2自己整列コンタクトパッドと、を含むことを特徴とする半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 481
FI (3件)：
H01L 27/10 481 ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 21/90 C
Fターム (44件)：
5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN31 ,  5F033NN33 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033TT08 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (6件)
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