不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172450
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017156
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、フラッシュEEPROMにおいて、微細化にともなうコンタクトの未開孔やゲート-コンタクト間ショートなどの不良の発生を防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、メモリセル群のコンタクトのPEPを行う際に、列方向における複数のセルトランジスタの、各ドレイン拡散層120bの相互を絶縁するための、フィールド酸化膜上の層間絶縁膜130だけを残すように、複数のレジストパターン150を島状に配置する。そして、その島状のレジストパターン150をマスクに用いて、各ドレイン拡散層120bのそれぞれに通じるコンタクトホール、および、各ソース拡散層120aに共通に通じるコンタクトホールを開孔する構成となっている。

請求項（抜粋）：

第一導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板上に所定の間隔をもって略平行に設けられた、少なくとも二つのゲート電極と、前記ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の表面領域に設けられた、第二導電型を有する第一の半導体領域と、前記ゲート電極を間にして、前記第一の半導体領域とは反対側に位置する、前記半導体基板の表面領域にそれぞれ設けられた、第二導電型を有する第二の半導体領域と、前記第一,第二の半導体領域にそれぞれつながる、マトリックス状に配設されたコンタクト部とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-111075
特開平3-089552
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-174516 出願人：三菱電機株式会社

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