特許
J-GLOBAL ID：200903013305070815
複室堆積システム及び磁気抵抗センサ製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-096230
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：
【要約】【課題】 堆積システムのウェハ・スループットを増加させることにより製造コストを減少させる、イオン・ビーム堆積システムを得る。【解決手段】 第1のウェハは第1のIBS堆積室302に移動され、そこで、反応性スパッタ堆積プロセスが行われる。第1のウェハはその後、金属層堆積プロセスのために第2のIBS堆積室304に移動される。そのとき、第2のウェハが第1の堆積室に挿入され、反応性スパッタ堆積が行われる。この反応性スパッタ堆積は、第1のウェハが第2のIBS堆積室で金属層を堆積するのと同時に行われる。第1のウェハの金属層堆積が終わった後、第1のウェハは第2のIBS堆積室の外のウェハ・スタック(台)360に置かれる。第2のウェハは第2のIBS堆積室に移動される。それから、第3のウェハがシステムに挿入され、処理フローが連続して続けらる。
請求項（抜粋）：
イオン・ビーム・スパッタ(IBS)により堆積を行う堆積システムであって、第1のIBS堆積室と、第2のIBS堆積室と、前記堆積システム内で基板を移動させるためのウェハ操作室とを有し、前記ウェハ操作室は前記第1のIBS堆積室と前記第2のIBS堆積室との間に配置され、前記第1のIBS堆積室と前記第2のIBS堆積室に真空シール可能に接続されている、複室堆積システム。
IPC (3件)：
C23C 14/46
, H01F 41/18
, H01L 43/12
C23C 14/46 Z
, H01F 41/18
, H01L 43/12
