特許

J-GLOBAL ID：200903013329884228

研磨組成物および研磨方法

発明者： 魚谷 信夫 ,  高橋 浩 ,  佐藤 孝志 ,  佐藤 元
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-331186
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340755
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 エッチング、エロージョンを抑制し特に金属膜の平坦性を維持したまま高速に研磨できる研磨組成物を提供すると共にこの研磨組成物を用いた金属膜の研磨方法、およびこの研磨組成物で平坦化する工程を含む基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 (A)アゾール基を分子中に3個以上含む化合物、(B)酸化剤、および(C)アミノ酸、有機酸、無機酸から選ばれた1種または2種以上を含むことを特徴とする研磨組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)アゾール基を分子中に3個以上含む化合物、(B)酸化剤、および(C)アミノ酸、有機酸、無機酸から選ばれた1種または2種以上、を含むことを特徴とする研磨組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (8件)：

H01L21/304 622C ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 積層メモリ・セルを有する磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231784   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 研磨剤および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝
• 銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135038   出願人：株式会社東芝
• CMP研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-327297   出願人：日立化成工業株式会社