特許
J-GLOBAL ID：200903013385889496

面発光型半導体素子及びその製造方法

発明者：
江崎 瑞仙

江崎 瑞仙 について

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西垣 亨彦

西垣 亨彦 について

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高岡 圭児

高岡 圭児 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377246
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142361
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 面方位(100)面等の通常基板上に作製した場合においても、偏波モードの制御性や量産性が高い高性能な面発光型半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 面方位(100)面等の通常基板上に作製した面発光型半導体レーザ素子において、メサ内部のAl高濃度層部分に非対称の選択酸化構造を形成することにより、活性層中心部に異方的な応力を印加し、素子の偏波制御性を高める。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の主面上に形成された発光領域を有する半導体活性層と、 前記半導体活性層を狭持し、前記基板に対して垂直方向の共振器を形成する、前記半導体活性層に対して前記基板と反対側に形成された第1の半導体多層膜反射鏡及び前記半導体活性層に対して前記基板側に形成された第2の半導体多層膜反射鏡と、 前記半導体活性層に電流を注入するための一対の電極と、 前記半導体活性層の近傍に形成され、Alを含む被酸化層が複数層設けられ、その側面から酸化されることによって形成された電流狭窄部と、 少なくとも前記被酸化層の最上層に到達する溝深さの凹部と、 前記凹部に囲まれたメサ部と、 を備え、 前記電流狭窄部は、前記複数層の被酸化層のうちの第1の層数の前記被酸化層が酸化されてなる第1の電流狭窄部と、前記第1の層数よりも小なる第2の層数の前記被酸化層が酸化されてなる第2の電流狭窄部と、を有することを特徴とする面発光型半導体素子。
IPC (1件)：
H01S5/183
FI (1件)：
H01S5/183
Fターム (9件)：
5F073AA07 ,  5F073AA65 ,  5F073BA06 ,  5F073CA17 ,  5F073DA14 ,  5F073DA16 ,  5F073DA27 ,  5F073EA22 ,  5F073EA23
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 面発光型半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-203193   出願人：セイコーエプソン株式会社
審査官引用 (4件)
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