特許
J-GLOBAL ID：200903013410920832
半導体装置および該半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-131977
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320985
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性の高いTi合金シリサイドを安定して形成することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン3およびポリシリコン5のうちの少なくとも一方の表面に、TiSi2 よりも耐熱性の高いTiMo、TiC、TiTa、TiVまたはTiZrのTi合金シリサイド61を有する。その製造方法としては、酸化膜41,2、シリコン3およびポリシリコン5の表面の全体にTi合金6を形成して、ランプアニールによってシリコン3上およびポリシリコン5上のTi合金6にシリサイド反応を起こしてTi合金シリサイド61を形成し、その後に酸化膜41,2上のシリサイド化されていない部分をウェットエッチングによって除去し、Ti合金シリサイド61をシリコン3上およびポリシリコン5上のみに残す。
請求項（抜粋）：
シリコンおよびポリシリコンのうちの少なくとも一方の表面に、Tiシリサイドよりも耐熱性の高いTi合金シリサイドを有する、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/88 Q
, H01L 29/78 301 Y
