気相成長方法及び気相成長装置並びに気相成長装置用の気化器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-233238
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053962
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：

【要約】【課題】有機金属錯体を前駆体とする反応生成物が気化器またはその下流側の管路に堆積することを、プロセスの安定性を害すること無く、効果的かつ低コストで防止する。【解決手段】気化器2により有機金属錯体Cu(hfac)TMVSの気化を行っていないときに、気化器2の気体領域Avまたはその下流側の気化器1につながる配管14内に、有機金属錯体に対する安定化剤TMVSをガス状態で供給する。

請求項（抜粋）：

有機金属錯体を気化器により気化し、気化された有機金属錯体を反応室に供給して反応室内で基板上に成膜を行う気相成長方法において、前記気化器により前記有機金属錯体の気化を行っていないときに、前記気化器の気体領域またはその下流側の前記反応室につながる配管内に、前記有機金属錯体に対する安定化剤を気体の状態で供給することを特徴とする気相成長方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , C23C 16/448 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/44 J , C23C 16/448 , H01L 21/205

Fターム (13件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030DA06 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 5F045EB05 , 5F045EB11 , 5F045EB17 , 5F045EC07 , 5F045EE02 , 5F045EE13 , 5F045EE18 , 5F045EF05

引用特許：

審査官引用 (6件)

CVD装置の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-206557 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
薄膜気相成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292565 出願人：富士通株式会社
薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-366348 出願人：株式会社村田製作所

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