特許
J-GLOBAL ID：200903013441874553
金属酸化物キャパシタの作製方法及び半導体メモリ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355139
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189908
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 ポストアニール温度の如き熱処理温度を低減させつつ、バリア金属の酸化を効果的に抑制できるBST等の金属酸化物キャパシタの作製方法と、この金属酸化物キャパシタを有する半導体メモリ装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 Pt下部電極38上にBST膜40及びPt上部電極37が順次積層されたBSTキャパシタを作製するに際し、BST膜40の形成後に、1気圧よりも高い(特に2〜10気圧の)酸素圧力の雰囲気中で熱処理(高圧酸素ポストアニール)を行う、BSTキャパシタCAPの作製方法と、このBSTキャパシタCAPをメモリセルに作製する、半導体メモリ装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
第1の電極上に金属酸化物膜及び第2の電極が順次積層された金属酸化物キャパシタを作製するに際し、前記金属酸化物膜の成膜後に、1気圧よりも高い酸素圧力の雰囲気中で熱処理を行う、金属酸化物キャパシタの作製方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
