特許
J-GLOBAL ID：200903013480085736

半導体装置および製造方法

発明者：
二階堂 裕文

二階堂 裕文 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340650
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 上層配線と下層配線とを接続するコンタクトホール内で、上層の金属配線と下層の金属配線とを直接に接触させた半導体装置を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、デバイス層1上に、順に、下層下部バリアメタル配線2a,下層金属配線2b,下層上部バリアメタル配線2cからなる下層配線2と、絶縁膜層3と、上層下部バリアメタル配線4a,上層金属配線4b,上層上部バリアメタル配線4cからなる上層配線4とを有し、下層配線2と上層配線4とは、コンタクトホール6を通じて接続されている。この場合、上層配線4と下層配線2を接続する界面において、下層金属配線2bと上層金属配線4bとが、コンタクトホール6を通じて直接接続されている。
請求項（抜粋）：
デバイス層と、前記デバイス層上に、下層下部バリアメタル配線と下層金属配線と下層上部バリアメタル配線の順に形成された配線からなる下層配線と、前記下層配線上に形成された絶縁膜層と、前記絶縁膜層上に、上層下部バリアメタル配線と上層金属配線と上層上部バリアメタル配線の順に形成された配線からなる上層配線と、前記下層上部バリアメタル配線と、前記絶縁膜層と、前記上層下部バリアメタル配線とが除去されて形成されたコンタクトホールとを有し、前記下層配線と前記上層配線とは、前記コンタクトホールを通じて接続され、前記コンタクトホール内では、前記下層金属配線と前記上層金属配線とが直接に接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 N
Fターム (33件)：
4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD32 ,  4M104DD37 ,  4M104FF16 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF23 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033NN01 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ37
引用特許：
審査官引用 (8件)
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