特許

J-GLOBAL ID：200903013503083914

半導体IC内蔵基板

発明者： 勝俣 正史 ,  福光 由章 ,  阿部 寿之 ,  川畑 賢一 ,  遠藤 敏一
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-063288
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253168
出願日： 2005年03月08日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】 高い放熱特性及び高いEMC特性を確保しつつ、端子面の使用効率を高めることによって、端子電極数の増加を可能とした半導体IC内蔵基板を提供する。【解決手段】 積層された絶縁層111〜113からなり、端子面110aに複数の端子電極121,122が形成された多層基板110と、主面130aが多層基板110の端子面110a側を向くよう、多層基板110に内蔵された半導体IC130と、半導体IC130の裏面130bの少なくとも一部に接して設けられた放熱層140と、多層基板110を貫通して設けられ、放熱層140と端子電極122とを接続するスルーホール電極141とを備える。これにより、多層基板110の端子面110aに大面積のグランドパターンを形成する必要がなくなるため、端子面110aの使用効率が高く、端子電極の数を増加することが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層された複数の絶縁層からなり、一方の表面に複数の端子電極が形成された多層基板と、 主面が前記多層基板の前記一方の表面側を向くよう、前記多層基板に内蔵された半導体ICと、 前記半導体ICの裏面の少なくとも一部に接して設けられた放熱層と、 前記多層基板を貫通して設けられ、前記放熱層と前記端子電極とを接続するスルーホール電極とを備えることを特徴とする半導体IC内蔵基板。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

H01L23/12 J ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 T ,  H05K3/46 U ,  H01L23/12 B ,  H01L23/12 E

Fターム (15件)：

5E346AA11 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA23 ,  5E346AA25 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC31 ,  5E346FF45 ,  5E346HH01 ,  5E346HH17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電子回路基板の高密度実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-139275   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

• 電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153314   出願人：京セラ株式会社
• 中空封着パッケージおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-091338   出願人：三菱電機株式会社
• 高周波モジュール装置の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-286837   出願人：ソニー株式会社
• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-179897   出願人：セイコーエプソン株式会社