特許
J-GLOBAL ID：200903013551219780
マスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法、マスクブランク用ガラス基板、マスクブランク、露光用マスク、マスクブランク用ガラス基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-171153
公開番号（公開出願番号）：特開2006-343666
出願日： 2005年06月10日
公開日（公表日）： 2006年12月21日
要約：
【課題】 被転写体へのパターン転写に影響の大きな主表面近傍の内部欠陥を含む、ガラス基板の実質的に全ての領域の内部欠陥を良好に検出して、パターン転写の転写精度を向上できること。【解決手段】 波長が200nm以下の短波長光を導入する端面2を有する合成石英ガラス基板4を準備する準備工程と、端面2から短波長光を導入し、当該ガラス基板の内部欠陥が発する上記短波長光よりも長い波長の光を他の端面から受光し、この受光した光に基づき内部欠陥を検出する検出工程を有し、この検出工程で内部欠陥が検出されない合成石英ガラス基板からマスクブランク用ガラス基板を製造する際に、上記準備工程において、端面2における面取り面51の幅tが、この端面に対向する端面18における面取り面53、57の幅Tよりも小さく設定された合成石英ガラス基板4を準備し、上記検出工程において、端面2の側面59に上記短波長光を導入するものである。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
ガラス基板の表面のうちの一端面から波長が200nm以下の短波長光を導入し、
この導入された短波長光によって上記ガラス基板の内部欠陥が発する、上記波長よりも長い長波長光を上記表面の他方から受光し、
この受光した長波長光に基づき上記ガラス基板の上記内部欠陥を検出するマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法であって、
上記ガラス基板の上記一端面における面取り面の幅が、この一端面に対向する対向端面における面取り面の幅よりも小さく設定され、
この一端面の側面に上記短波長光を導入することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の欠陥検査方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
2H095AD02
, 2H095BA01
, 2H095BD04
, 2H095BD05
, 2H095BD21
, 2H095BD26
, 2H095BE07
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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