特許
J-GLOBAL ID：200903013622545918
シリコンウェーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059180
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257984
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハ及びその製造方法において、表裏面近傍に高密度の析出層を形成し、一方、極めて酸素析出物が少ないDZ層を得ること。【解決手段】 少なくとも表面の近傍に内部より空孔濃度が高い高空孔層が形成され、前記高空孔層は、その空孔濃度が2×1012個/cm3以上である。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面の近傍に内部より空孔濃度が高い高空孔層が形成され、前記高空孔層は、その空孔濃度が2×1012個/cm3以上であることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/26 F
