特許

J-GLOBAL ID：200903013677503440

圧電体薄膜素子の製造方法

発明者： 島田 勝人 ,  亀井 宏行 ,  高橋 哲司 ,  邱 宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-166227
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339663
出願日： 2006年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】製造中に膜内にクラックの発生がなく、高い圧電ひずみ定数を有するとともに、下電極との密着性が良好である圧電体薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】金属膜が形成された基板上に、PZT薄膜をゾルゲル法によって形成する圧電体薄膜素子の製造方法であって、PZT薄膜の結晶成長の熱処理温度が800〜1000°Cである。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

金属膜が形成された基板上に、PZT薄膜をゾルゲル法によって形成する圧電体薄膜素子の製造方法であって、 PZT薄膜の結晶成長の熱処理温度が800〜1000°Cであることを特徴とする圧電体薄膜素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 41/22 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/187 ,  C04B 35/49 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055

FI (7件)：

H01L41/22 Z ,  B41J3/04 103H ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  C04B35/49 F ,  B41J3/04 103A ,  C04B35/49 R

Fターム (20件)：

2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AP14 ,  2C057AP51 ,  2C057BA14 ,  4G031AA03 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA32 ,  4G031AA40 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA04 ,  4G031GA06 ,  4G031GA11

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 圧電/電歪アクチュエータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087997   出願人：日本碍子株式会社
• 強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057242   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開平3-232755号公報
  
• 特開昭50-145899号公報
  
• 米国特許第5265315号明細書
  

審査官引用 (5件)

• 強誘電体薄膜の結晶配向性制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-057242   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 誘電体用セラミックスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-280292   出願人：株式会社アドバンス
• 圧電/電歪膜型素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-282271   出願人：日本碍子株式会社
• 特開平4-005874
  
• 特開昭57-188460