特許
J-GLOBAL ID：200903013686215873

表示装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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村上 智史

村上 智史 について

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納 光明

納 光明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-134067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-046110
出願日： 2003年05月13日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】表示装置の作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧のばらつきの抑制された均一な表示特性の表示装置を提供する。【解決手段】トランジスタのゲート電極等とデータ配線もしくはドレイン電極等の絶縁を図る平坦化層と、該平坦化層の上面もしくは下面に設けられると共に前記平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア層を備えた表示装置であって、これら平坦化層及びバリア層の位置関係を工夫することにより平坦化層に及ぶプラズマダメージを低減する上で有効なデバイス構成を用いる。また、画素電極の構造として新規な構造との組み合わせにより、輝度の向上等の効果をも付与する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板面に設けられたトランジスタ及び該トランジスタに接続された発光素子を含む表示装置において、 前記トランジスタは、半導体で形成された活性層、該活性層に接するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して前記活性層に対向するゲート電極、前記活性層上方のバリア層、該バリア層上の平坦化層並びに該平坦化層上のドレイン電極を有し、 前記発光素子は、前記平坦化層上において前記ドレイン電極の上面に接して接続された画素電極、該画素電極に接する発光体及び該発光体を介して前記画素電極に対向する対向電極を有し、 前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記バリア層に設けられた第1開口部並びに前記平坦化層に設けられた第2開口部を介して前記活性層に接続されていることを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
G09F9/30 ,  H05B33/14
FI (3件)：
G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365 ,  H05B33/14 A
Fターム (15件)：
3K007AB05 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA04 ,  5C094AA23 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15
引用特許：
審査官引用 (8件)
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