特許
J-GLOBAL ID：200903089598752040

電子装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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小沼 利光

小沼 利光 について

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小山 潤

小山 潤 について

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犬飼 和隆

犬飼 和隆 について

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水上 真由美

水上 真由美 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-328056
公開番号（公開出願番号）：特開2001-195016
出願日： 2000年10月27日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。【解決手段】 単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FET202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。
請求項（抜粋）：
第1のFET、該第1のFETのドレイン配線に電気的に接続されたゲート電極を有する第2のFET及び該第2のFETのドレイン配線に電気的に接続された発光素子を有し、前記第2のFETは、ゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と一部もしくは全部が重なるように設けられた単結晶半導体からなるLDD領域を含むことを特徴とする電子装置。
IPC (6件)：
G09F 9/30 365 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/00 348 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/00 348 C ,  H05B 33/14 A ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/08 102 D
引用特許：
審査官引用 (15件)
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