特許
J-GLOBAL ID：200903013766550452

強誘電体メモリ装置およびその駆動方法

発明者：
長谷川 和正

長谷川 和正 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393928
公開番号（公開出願番号）：特開2002-269973
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 製造プロセスを複雑化することなく、また、強誘電体キャパシタの占有面積を増大させることなく、多値データを記憶可能な強誘電体メモリ装置を提供すること。【解決手段】 強誘電体メモリ装置は、少なくとも強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数配列されたメモリセルアレイを含む。強誘電体キャパシタに3以上の分極状態を設定するための3以上の異なる電圧(例えば、Vs、-Vc、-Vs)を印加することにより、該強誘電体キャパシタに選択的に3値(例えばPr(0)、P1(1)、-Pr(2))以上のデータを記憶できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも強誘電体キャパシタを有するメモリセルが複数配列されたメモリセルアレイを含む強誘電体メモリ装置であって、前記強誘電体キャパシタに3以上の分極状態を設定するための3以上の異なる電圧を印加することにより、該強誘電体キャパシタに選択的に3値以上のデータを記憶できる、強誘電体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/22 501 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
G11C 11/22 501 Z ,  H01L 27/10 444 B
Fターム (10件)：
5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR10 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA19 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM