配線の形成方法及び配線

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-039071
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243391
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】メタルバリア層及びCu配線層を平坦化する際の化学的機械的研磨法に起因するディッシングやエロージョンが生じるのを防止して配線抵抗の上昇を押さえることができ、またスクラッチの発生の発生を回避して配線切れを防止することができる配線の形成方法及び配線を提供することを目的とする。【解決手段】 Cu配線層をメタルバリア層まで研磨した後に配線溝を埋め込むCu配線上に導電性の保護膜を形成することにより、Cu配線を保護膜により保護してディッシング、エロージョン、スクラッチの発生を回避して配線抵抗の上昇や配線切れを防止することができ、さらにはエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの耐性を向上させてエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの耐性の優れた良好な配線を実現することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜の一部を除去して削除領域を形成し、該削除領域にメタルバリア層を形成した後に金属層を埋め込んで形成する配線の形成方法において、前記削除領域外の前記メタルバリア層上の前記金属層を除去する工程と、前記削除領域内の前記金属層上面に、前記金属層の除去から保護する保護膜を形成する工程と、前記削除領域外の前記メタルバリア層を除去するとともに前記保護膜を除去する工程とを有することを特徴とする配線の形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/88 B

Fターム (51件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK03 , 5F033KK07 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ14 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ24 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX14 , 5F033XX18 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-093387 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-224884 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の表面上における銅のデュアル・ダマシン構造体の表面を処理する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-247159 出願人：チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド

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