エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082316
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275355
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】充填性に優れ、バリの発生の少ない半導体装置が得られ、かつ成形された半導体装置の耐半田クラック性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】 (A)融点が70〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に30重量%以上含むエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)溶融シリカ粉末、(D)ガラス球及び(E)硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、(C)溶融シリカ粉末が全樹脂組成物中に45〜70重量%含まれ、全溶融シリカ粉末中の球状シリカ粉末が70重量%以上で、平均粒子径が10〜25μm、比表面積が2.5〜7.5m2/g、(D)ガラス球が全樹脂組成物中に15〜45重量%含まれ、ガラス球の平均粒子径が47〜57μmであることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

(A)融点が70〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中に30重量%以上含むエポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)溶融シリカ粉末、(D)ガラス球及び(E)硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、(C)溶融シリカ粉末が全樹脂組成物中に45〜70重量%含まれ、全溶融シリカ粉末中の球状シリカ粉末が70重量%以上で、平均粒子径が10〜25μm、比表面積が2.5〜7.5m2/g、湿式篩法による粒度分布が150μm以上が0.5重量%以下、75μm以上が2重量%以下、45μm以上が25重量%以下であり、かつレーザー回折式粒度分布計による粒度分布が48μm以下が70重量%以上、24μm以下が40重量%以上、12μm以下が20重量%以上、6μm以下が10重量%以上であり、(D)ガラス球が全樹脂組成物中に15〜45重量%含まれ、ガラス球の平均粒子径が47〜57μm、湿式篩法による粒度分布が150μm以上が0.5重量%以下、75μm以上が2重量%以下、45μm以上75μm以下が85重量%以上であり、かつレーザー回折式粒度分布計による粒度分布が48μm以下が10重量%以下、24μm以下が3重量%以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

IPC (7件)：

C08L 63/00 , C08G 59/24 , C08G 59/62 , C08K 3/36 , C08K 3/40 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (6件)：

C08L 63/00 C , C08G 59/24 , C08G 59/62 , C08K 3/36 , C08K 3/40 , H01L 23/30 R

Fターム (44件)：

4J002CC034 , 4J002CC044 , 4J002CD043 , 4J002CD051 , 4J002CD052 , 4J002CD063 , 4J002CD071 , 4J002CD073 , 4J002CE004 , 4J002DJ016 , 4J002DL007 , 4J002EU138 , 4J002EW148 , 4J002EW178 , 4J002EY018 , 4J002FD016 , 4J002FD017 , 4J002FD144 , 4J002FD158 , 4J002GQ05 , 4J036AA05 , 4J036AC02 , 4J036AD07 , 4J036AD08 , 4J036AD10 , 4J036AD20 , 4J036AE07 , 4J036AF06 , 4J036AF08 , 4J036DC46 , 4J036DD07 , 4J036FA05 , 4J036FA06 , 4J036FB06 , 4J036FB08 , 4J036GA06 , 4J036GA23 , 4J036JA07 , 4M109AA01 , 4M109EA03 , 4M109EB03 , 4M109EB04 , 4M109EB12 , 4M109EB13

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開平4-296349
樹脂モールド品
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-186940 出願人：株式会社東芝
半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-107603 出願人：日東電工株式会社

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