基板研磨装置及び研磨終点検出方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147399
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335288
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】インプロセスでの膜厚測定を光学的に実現してなる基板研磨装置において、膜厚測定用の光路をより簡易的に形成できるようにする。【解決手段】基板保持台5にて保持した基板4に研磨プレート2のパッド面を押し付けつつ、研磨剤の研磨作用によって基板4の表面を研磨加工する基板研磨装置において、研磨加工中における基板4の被加工面に対向可能に配設され、その被加工面から研磨剤を含む測定阻害物を除去する洗浄ノズル9と、この洗浄ノズル9による被加工面の洗浄領域に一端を対向させて配置してなる可撓性の光導通管10a,10bと、この光導通管10a,10bを通して基板4上での膜厚を光学的に測定する膜厚測定手段(11,12)とを備える。

請求項（抜粋）：

基板保持台にて保持した基板に研磨プレートのパッド面を押し付けつつ、研磨剤の研磨作用によって前記基板の表面を研磨加工する基板研磨装置において、研磨加工中における前記基板の被加工面に対向可能に配設され、その被加工面から前記研磨剤を含む測定阻害物を除去する洗浄手段と、前記洗浄手段による前記被加工面の洗浄領域に一端を対向させて配置してなる可撓性の光導通管と、前記光導通管を通して前記基板上での膜厚を光学的に測定する膜厚測定手段とを備えたことを特徴とする基板研磨装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , B24B 49/12 , G01B 11/06

FI (4件)：

H01L 21/304 341 E , H01L 21/304 341 M , B24B 49/12 , G01B 11/06 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

研磨方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155402 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
平面研磨方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-146631 出願人：スピードファム株式会社
膜厚測定装置及びポリシング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336969 出願人：株式会社東芝

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