多重レベル相互接続構造を持つ集積回路における二重ダマスク構造製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：龍華明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374061
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195951
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】金属化層を露出する為のRIE処理を行う前に、等角障壁/接着層を形成することにより、二重ダマスク穴の側壁に蒸着された金属原子群が誘電体層内に拡散するのを防止する。【解決手段】上乗せ層204を露出する二重ダマスク穴を形成した後、最初に二重ダマスク穴を埋めない様にして二重ダマスク穴の全側壁に渡って等角障壁/接着層216を形成する。次に二重ダマスク穴の底部に横たわる等角障壁/接着層216の底部を除去し、引き続いて非等方エッチング処理によって金属化層202が露出されるまで上乗せ層204の下伏部分を除去する。最後に銅などの導通材料218を二重ダマスク穴の残りの空洞部分に蒸着する。蒸着した導通材料218と二重ダマスク穴内の等角障壁/接着層216の残りの部分の組み合わせが目的とする二重ダマスク構造を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基盤の所定の場所に金属化層と半導体基盤の上に形成され前記金属化層を覆う上乗せ層とによってすでに形成された集積回路構造内にダマスク構造を製造する方法であり、前記上乗せ層の上に誘電体層を形成するステップと、前記誘電体層内に前記上乗せ層を露出するダマスク穴を形成するステップと、前記ダマスク穴を埋めずに、前記ダマスク穴の全側壁上と前記上乗せ層の露出された部分上と、前記誘電体層の表面上とに渡って等角障壁/接着層を所定の厚さに形成するステップと、前記上乗せ層の真上の前記ダマスク穴の底部に横たわる前記等角障壁/接着層の底部を除去し、引き続いて前記金属化層が露出されるまで前記上乗せ層の下伏部分を除去するエッチング処理を実行するステップと、導通材料を前記ダマスク穴の残りの空洞部分に蒸着し、蒸着した導通材料と前記等角障壁/接着層の残りの部分によって目的とするダマスク構造を構成するステップとを備えたダマスク構造製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/28 L

Fターム (42件)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD07 , 4M104DD17 , 4M104DD66 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN05 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ23 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033XX01 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (7件)

多層配線構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-341259 出願人：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
多層配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-089083 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212332 出願人：株式会社東芝

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