特許
J-GLOBAL ID：200903013900078188

半導体基板

発明者：
枝村 忠孝

枝村 忠孝 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-338152
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109020
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 デバイスの作製に好適な半導体基板を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体基板16の基板は、GaAsで構成されている。そして、その表面には、GaSbで構成された、アスペクト比が2以上5以下である略楕円形状の量子リング14が複数形成されている。そして、これら複数の量子リング14は略同一方向に沿って延在している。この半導体基板16の表面に光を照射した場合、その照射光の偏光のうち、量子リング14の延在方向である楕円の長軸方向に平行な偏光は反射され、短軸方向に平行な偏光は透過する。すなわち、半導体基板16は、一方の偏光成分を反射し、他方の偏光成分を透過する。なお、アスペクト比が1に近い略真円形状の量子リングを有する従来の半導体基板では、このような偏光成分の分離を実現することができなかった。従って、半導体基板16は、従来の半導体基板では困難であった偏光デバイスへの応用に好適なものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の化合物半導体で構成され、且つ、該第1の化合物半導体とは異なる第2の化合物半導体で構成された複数の量子リングが表面に形成された半導体基板であって、 前記各量子リングはアスペクト比が2以上5以下の略楕円形状を有し、前記複数の量子リングは略同一方向に延在している、半導体基板。
IPC (2件)：
H01L29/06 ,  G02B5/30
FI (2件)：
H01L29/06 601D ,  G02B5/30
Fターム (3件)：
2H049BA05 ,  2H049BA45 ,  2H049BB42
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (4件)
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