酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074627
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250982
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて酸化物半導体と絶縁層との良好な界面を有し、安定した高い薄膜トランジスタ特性を実現する。【解決手段】基板1上に少なくとも、ソース電極3と、ドレイン電極4と、チャネル領域を含む半導体層2と、ゲート絶縁膜5と、ゲート電極6とを有する薄膜トランジスタであって、半導体層が、酸化物半導体層であり、ゲート絶縁膜が、少なくともOとNとを含むアモルファスシリコンであり、且つ酸化物半導体層の界面側で酸素濃度が高く、ゲート電極側に向かって酸素濃度が減少するように、ゲート絶縁膜が膜厚方向で酸素濃度の分布を持つ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネル領域を含む半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層が、酸化物半導体層であり、前記ゲート絶縁膜が、少なくともOとNとを含むアモルファスシリコンであり、且つ前記酸化物半導体層の界面側で酸素濃度が高く、ゲート電極側に向かって酸素濃度が減少するように、前記ゲート絶縁膜が膜厚方向で酸素濃度の分布を持つことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 51/50 , G02F 1/136

FI (4件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H05B33/14 A , G02F1/1368

Fターム (34件)：

2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092KA05 , 2H092KA08 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC25 , 3K107EE03 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-264885 出願人：科学技術振興事業団
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274333 出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-165931 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
傾斜薄膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-565432 出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド

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