傾斜薄膜

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外8名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-565432
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526218
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2003年09月02日
要約：

【要約】薄膜が原子層堆積によって形成され、これによって、該膜の組成は、自己制限成分の交互パルスを含む、サイクル(301)または(450,455,460,470)の間、単層ごとに変化され得る。例示される実施形態において、変化量の不純物ソース(306または460)が、サイクルプロセスの間に導入される。2nmほど薄い傾斜ゲート誘電体(72)は、純粋な酸化ケイ素からオキシニトリドへ窒化ケイ素へ変化され得る。同様に、ゲート誘電体(72)は、酸化アルミニウムから酸化アルミニウムおよびより高い誘電性材料(例えば、ZnO2)の混合物へ純粋な高k材料へそして戻って酸化アルミニウムへ変化され得る。別の実施形態において、金属窒化物(432)(例えば、WN)が、先ず、ライニングのデュアルダマシントレンチおよびビアのためのバリアとして形成される。交互堆積プロセスの間、銅が例えば別々のパルスで導入され得、そして銅ソースパルス(460)が、徐々に頻度が増加し得、傾斜遷移領域(434)を形成し、その後、純粋な銅(436)が上部表面上に形成される。有利には、傾斜組成は、これらおよび種々の他の文脈において、シャープな材料界面で生じ得る非抵抗電気接触、エレクトロマイグレーションおよびエッチング速度制御のような問題を回避するために役立つ。

請求項（抜粋）：

集積回路において種々の組成を有する薄膜を形成する方法であって、以下: 反応チャンバに基板を配置すること; 第1および第2気相反応物を、交互および一時的に分離されたパルスで、該基板へ、複数の堆積サイクルで導入すること; 種々の量の第3気相反応物を、該複数の堆積サイクルの間、該基板へ導入すること、を含む、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 , C23C 16/30 , C23C 16/34 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/318 C , C23C 16/30 , C23C 16/34 , H01L 21/316 X

Fターム (28件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030BA01 , 4K030BA20 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA15 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC09 , 5F058BC10 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BF02 , 5F058BF21 , 5F058BF36

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜トランジスタマトリックス装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-118990 出願人：富士通株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-059227 出願人：三菱電機株式会社
ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065742 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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