特許
J-GLOBAL ID：200903014017076236
圧力センサ用半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126910
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 圧力基準室を備えた半導体圧力センサのダイヤフラムを膜厚を薄くしかも精度良く形成する。【解決手段】 第1の基板にイオン注入層形成工程P1にて所定深さに水素イオンを高濃度で注入したイオン注入層を形成する。凹部形成工程P2で、第2の基板に圧力基準室用の凹部および減圧用連通孔をエッチングにより形成する。貼り合わせ工程P3で、第1および第2の基板を貼り合わせ、剥離工程P4で高温熱処理を行なって第1の基板をイオン注入層で剥離して第2の基板の表面に半導体層を形成する。素子形成工程P5にて信号処理用の回路素子の形成を行なった後、減圧封止工程P6にてCVD法などにより圧力基準室内を減圧用連通孔を介して減圧して真空状態にし、保護膜を形成して封止する。圧力基準室を覆う半導体層がダイヤフラムとして機能するので、その膜厚を精度良く形成できる。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラム(6)に受ける圧力を圧力基準室(7)との圧力差により生ずる応力に基づいて電気的に検出するようにした圧力センサに用いる半導体基板(1,14,16,18,19,21,22,26)の製造方法において、前記ダイヤフラム(6)を形成するための半導体製の第1の基板(4)の所定深さに剥離用のイオン注入層(12)を形成するイオン注入層形成工程(P1)と、前記圧力基準室(7)を形成するために第2の基板(2)に圧力基準室(7)用の凹部(2a,2c)を設ける凹部形成工程(P2)と、前記第1および第2の基板(4,2)を貼り合わせる貼り合わせ工程(P3)と、貼り合わせた前記第1の基板(4)を前記イオン注入層(12)部分で剥離して前記第2の基板(2)の表面に半導体層(5)を形成することにより、前記ダイヤフラム(6)および圧力基準室(7)を形成する剥離工程(P4)とを含んでなることを特徴とする圧力センサ用半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
H01L 29/84 B
, G01L 9/04 101
