特許
J-GLOBAL ID：200903014039211536

レジストパターンの形成方法

発明者：
大森 克実

大森 克実 について

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湯川 博人

湯川 博人 について

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内田 竜介

内田 竜介 について

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佐藤 和史

佐藤 和史 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113585
公開番号（公開出願番号）：特開平11-305440
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 高感度化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用い、マスクパターンに忠実で断面形状の良好な超微細レジストパターンを、効率よく形成する方法を提供する。【解決手段】 基板上に、特定の構造の共重合体樹脂成分と、酸発生剤として、炭素数1〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩とを含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布し、120〜140°Cの温度で乾燥処理後、マスクパターンを介して露光したのち、上記乾燥処理温度より低く、かつ110〜130°Cの温度で加熱処理し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成させる。
請求項（抜粋）：
基板上に、(A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及び酸により脱離可能な溶解抑制基をもつアクリル酸又はメタクリル酸エステル単位2〜20モル%からなる共重合体樹脂成分と、(B)酸発生剤として、炭素数1〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩とを含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を塗布し、120〜140°Cの温度で乾燥処理後、マスクパターンを介して露光したのち、上記乾燥処理温度より低く、かつ110〜130°Cの温度で加熱処理し、次いで現像処理することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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