特許
J-GLOBAL ID：200903094127037930

化学増幅型ポジ型ホトレジスト

発明者：
大森 克実

大森 克実 について

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湯川 博人

湯川 博人 について

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内田 竜介

内田 竜介 について

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佐藤 和史

佐藤 和史 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113586
公開番号（公開出願番号）：特開平11-305441
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 KrFエキシマレーザーを用いて微細なレジストパターンを形成させるための化学増幅型ポジ型ホトレジストを提供する。【解決手段】 (A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及び酸により脱離可能な溶解抑制基をもつアクリル酸又はメタクリル酸エステル単位2〜20モル%からなる共重合体樹脂成分100重量部に対し、(B)酸発生剤として、炭素数3〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩1〜20重量部を配合して、化学増幅型ポジ型ホトレジストとする。
請求項（抜粋）：
(A)ヒドロキシル基含有スチレン単位50〜85モル%、スチレン単位15〜35モル%及び酸により脱離可能な溶解抑制基をもつアクリル酸又はメタクリル酸エステル単位2〜20モル%からなる共重合体樹脂成分100重量部に対し、(B)酸発生剤として、炭素数3〜10のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオンとして含むオニウム塩1〜20重量部を配合したことを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト。
IPC (8件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027 ,  C08F212:08 ,  C08F220:18
FI (6件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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