特許

J-GLOBAL ID：200903014051359611

フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子

発明者： 李 根守 ,  金 珍秀 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273971
公開番号（公開出願番号）：特開2002-139840
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストパターンのL/Sパターンの解像度及び対照比を向上させる。【解決手段】下記化学式(1)又は化学式(2)の架橋剤を添加したフォトレジスト組成物を用いれば、レジストフロー特性を改善させてL/Sパターンの解像度及び対照比を向上させることができる。【化1】

請求項（抜粋）：

レジストフロー工程に用いられるフォトレジスト組成物であって、フォトレジスト重合体、光酸発生剤、下記化学式(1)又は化学式(2)の化合物から選択される架橋剤、及び有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。【化1】前記式で、R1、R2、R3、及びR4は、それぞれ水素、或いは炭素数C1〜C10の置換又は非置換された直鎖又は側鎖アルキルである。【化2】前記式で、R5、R6、及びR7は、それぞれ水素、炭素数C1〜C10の置換又は非置換された直鎖又は側鎖アルキル、或いは炭素数C1〜C10の置換又は非置換された直鎖又は側鎖アルコキシである。

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 570

Fターム (22件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ポジ型化学増幅フォトレジスト及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124967   出願人：富士通株式会社
• 感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-095885   出願人：ジェイエスアール株式会社
• ジオール構造を含有してなる重合体、それを用いたネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-087403   出願人：日本電気株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235453   出願人：東京応化工業株式会社
• フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、および、半導体素子。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-238931   出願人：現代電子産業株式会社
• ポジ型感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-060286   出願人：富士写真フイルム株式会社