半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202055
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064865
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】本発明により、pn接合を最適な位置に、再現性よく設けることができる構造を提供する。【構成】半導体基板上に形成されたInを構成元素とするIII -V族化合物半導体からなるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層の少なくとも片側にInを構成元素としないIII -V族半導体からなる層を具備し、前記Inを構成元素としないIII -V族化合物半導体からなる層の両側の界面を含む該層中にpn接合を設けたことを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたInを構成元素とするIII -V族化合物半導体からなるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層の少なくとも片側にInを構成元素としないIII -V族半導体からなる層を具備し、前記Inを構成元素としないIII -V族化合物半導体からなる層の両側の界面を含む該層中にpn接合を設けたことを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-094239 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-139230 出願人：株式会社東芝
半導体レーザおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-074977 出願人：松下電器産業株式会社

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