半導体光集積素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-034918
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236845
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】半導体短光パルス発生装置にチャープ補償器を集積化した半導体光集積素子を提供することにある。【構成】半導体短光パルス発生装置に誘電体多層膜鏡チャープ補償器15が集積化されている。その半導体短光パルス発生装置は、結晶面方位が(001)から20度〜90度の範囲で傾いた基板上1に形成され、それらの活性層6は、p型変調ドープされた圧縮歪み量子井戸層によって構成される。【効果】チャープ補償器が半導体短光パルス発生装置に集積化されているため、装置の安定化、小型化、低コスト化が実現できる。また、本発明の半導体光集積素子が面型の場合、2次元集積化が容易であり、並列大容量光通信システム用の短光パルス発生光源に好適である。

請求項（抜粋）：