特許
J-GLOBAL ID：200903014209853430

酸化物超電導バルク体の製造方法および酸化物超電導バルク体

発明者：
尾作 仁司

尾作 仁司 について


出願人/特許権者：
財団法人鉄道総合技術研究所

財団法人鉄道総合技術研究所 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-043634
公開番号（公開出願番号）：特開2007-131510
出願日： 2006年02月21日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】本発明は、短い時間で結晶成長可能とし、捕捉磁場特性の優れた酸化物超電導バルク体を製造する技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、種結晶の結晶構造を基に半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とする方法であって、前駆体を包晶温度よりも低く、結晶化開始温度よりも低い温度域において、複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、次いで、前駆体を包晶温度以上の温度に加熱し、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物超電導体製造用の原料を仮焼きして圧密成形し、酸化物超電導体の前駆体を形成するとともに、該酸化物超電導体の前駆体を加熱して半溶融状態とした後に冷却し、前記前駆体上に設置されている種結晶の結晶構造を基に先の半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とするトップシード溶融凝固法によって酸化物超電導バルク体を製造する方法であって、 前記前駆体を前記仮焼き温度よりも高い温度であって酸化物超電導体の包晶温度よりも低い温度に加熱後、前記包晶温度よりも低く、結晶化開始温度よりも低い温度域であって、前記仮焼き温度よりも高い温度域において複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、 次いで、前記予備的段階降温等温処理後の前駆体を前記包晶温度以上の温度に加熱し、半溶融状態とした後、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化することを特徴とする酸化物超電導バルク体の製造方法。
IPC (3件)：
C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ,  H01B 13/00
FI (3件)：
C01G1/00 S ,  C01G3/00 ,  H01B13/00 565D
Fターム (16件)：
4G047JA02 ,  4G047JB02 ,  4G047JB06 ,  4G047JC03 ,  4G047KA17 ,  4G047KB04 ,  4G047KB13 ,  4G047KB17 ,  4G047KB20 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA02 ,  5G321CA03 ,  5G321CA13 ,  5G321DB28 ,  5G321DB44
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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