特許
J-GLOBAL ID：200903037319489840
高温酸化物超電導材料およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大川 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-294587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-114595
出願日： 1999年10月15日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 電気特性、磁気特性、機械強度に優れた大型の酸化物超電導体およびこのような酸化物超電導体を低コストで再現性良く製造できる酸化物超電導体の製造方法を提供する。【解決手段】 構成元素としてRE(REはYを含む1種または2種以上の希土類金属元素)とBaとCuを含むとともに成長率が0.1mm/h/°C以下または0.5mm/h/°C以上のRE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x(-0.2≦p≦0.2、-0.2≦q≦0.2、0≦b≦0.05、-0.2≦x≦0.6)相を含む第1の成形体と、構成元素としてREとBaとCuを含むとともに成長率が0.1mm/h/°Cより大きく且つ0.5mm/h/°Cより小さいRE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x相を含む第2の成形体とを積層し、 RE1+pBa2+q(Cu1-bAgb)3O7-x相の融点以上の温度で焼成した後、第2の成形体側に種結晶を載置し、徐冷または温度保持により第2の成形体側から第1の成形体側に向かって結晶化させることによって酸化物超電導体を製造する。
請求項（抜粋）：
構成元素としてRE(REはYを含む1種または2種以上の希土類金属元素)とBaとCuを含むとともに成長率が0.1mm/h/°C以下または0.5mm/h/°C以上の第1の相を含む第1の成形体と、構成元素としてREとBaとCuを含むとともに成長率が0.1mm/h/°Cより大きく且つ0.5mm/h/°Cより小さい第2の相を含む第2の成形体とを積層し、前記第1および第2の相の融点以上の温度で焼成した後、前記第2の成形体側に種結晶を載置し、徐冷または温度保持により前記第2の成形体側から前記第1の成形体側に向かって結晶化させることによって酸化物超電導体を製造することを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 12/00 ZAA
C30B 29/22 501 P
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, H01B 12/00 ZAA
4G047JA02
, 4G047JB02
, 4G047JC02
, 4G047JC03
, 4G047KA01
, 4G047KA18
, 4G047KB01
, 4G047KB04
, 4G047KB17
, 4G047KC06
, 4G047LB03
, 4G077BC53
, 4G077CA05
, 4G077CA09
, 4G077EC02
, 4G077EC07
, 5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321BA03
, 5G321BA05
, 5G321BA11
, 5G321CA04
, 5G321CA05
, 5G321DB02
, 5G321DB17
, 5G321DB44
, 5G321DB46
, 5G321DB47
, 5G321DB48
