電界効果トランジスタ、集積回路、電界効果トランジスタのゲートを形成する方法、及び集積回路を形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石原昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-566893
公開番号（公開出願番号）：特表2002-544658
出願日： 1999年08月17日
公開日（公表日）： 2002年12月24日
要約：

【要約】本発明には、電界効果トランジスタ、集積回路、電界効果トランジスタのゲートを形成する方法、及び集積回路を形成する方法が含まれる。一態様において、電界効果トランジスタは、間にチャネル領域が配置された一対のソース/ドレイン領域を有する。チャネル領域に近接してゲートが動作上配置され、該ゲートは、導電性にドープされた半導体材料、シリサイド層及び導電性拡散バリア層を有する。他の態様として、集積回路は、ゲート、ゲート絶縁層、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を有する電界効果トランジスタを具備する。ゲートは、第1のタイプの導電性増強不純物で導電性にドープされた半導体材料と導電性拡散バリア層とからなる。ゲートの近傍には絶縁材料が設けられ、これはその中に、前記ゲートに電気的に接続される半導体材料を有する。そのような半導体材料は、第2のタイプの導電性増強不純物で導電性にドープされている。ゲートの導電性拡散バリア層は、ゲートの半導体材料と前記絶縁材料内に設けられた半導体材料との間に設けられる。電界効果トランジスタを形成する方法は、基板上に導電性にドープされた半導体材料の層を形成する過程と、前記基板上に導電性シリサイドの層を形成する過程と、基板上に導電性拡散バリア層を形成する過程とを有する。半導体材料、導電性シリサイド及び導電性拡散バリア層からなるトランジスタゲートを形成するために、半導体材料層、シリサイド層及び導電性拡散バリア層のそれぞれはその一部分が除去される。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタであって、該トランジスタは、間にチャネル領域を有する一対のソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域の近傍に動作上配置されるゲートであって、該ゲートが導電性にドープされた半導体材料と、シリサイド層と、導電性拡散バリア層とからなるゲートと、を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/43

FI (4件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 G , H01L 29/62 G

Fターム (60件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD19 , 4M104DD43 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104EE05 , 4M104EE08 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH15 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BF30 , 5F140BF32 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG20 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG46 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140CB04 , 5F140CC07 , 5F140CE07 , 5F140CE08

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭63-012132
特開昭63-012152
MOSFETデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-293705 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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