磁気記憶装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-318215
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128565
出願日： 2004年11月01日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】データの書き込みに必要な電流を低減する。【解決手段】磁気記憶装置は、印加される磁界の方向によって磁化方向が反転する磁気記録層19Dと、磁化方向が固定された磁化固着層19Bとを含み、且つ磁気抵抗効果により情報を記憶するメモリセル19と、第1方向に延在し、且つ前記第1方向と直交する第2方向において前記磁気記録層19Dの幅より狭い幅を有し、且つ前記メモリセル19に前記情報を書き込む配線層11とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

印加される磁界の方向によって磁化方向が反転する磁気記録層と、磁化方向が固定された磁化固着層とを含み、且つ磁気抵抗効果により情報を記憶するメモリセルと、第1方向に延在し、且つ前記第1方向と直交する第2方向において前記磁気記録層の幅より狭い幅を有し、且つ前記メモリセルに前記情報を書き込む配線層とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 P , H01L43/08 Z

Fターム (9件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5,659,499号明細書
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-157484 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

MRAMの性能を向上させるための最適な書込導体レイアウト
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-221215 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
非対称に被覆された導体を有するMRAM
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-379703 出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
磁気ランダムアクセスメモリおよび磁気メモリセル
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-198489 出願人：株式会社日立製作所

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