電気光学装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004681
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206568
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】外部回路等との間で良好に電気的接続可能な入出力端子を備えており、製造プロセスにおける工程数削減が可能であると共に高品位の画像表示が可能なTFTアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上にTFT(30)、データ線(6a)、走査線(3a)、容量線(3b)及び画素電極(9a)を備える。画素電極及びTFT間は、バリア層(80a)を中継して二つのコンタクトホール(8a、8b)により電気的接続される。入出力端子は、バリア層と同一膜から同時に形成される端子用導電層(80s)を備える。

請求項（抜粋）：

基板上の画像表示領域に、複数の画素電極と、複数の走査線及び複数のデータ線と、前記各走査線及び前記各データ線に夫々接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの半導体層と前記画素電極との間に夫々介在し、一方で前記半導体層と電気的接続され且つ他方で前記画素電極と電気的接続された第1導電層とを備えており、前記基板上における前記画像表示領域の周辺に位置する端子の一部は、前記第1導電層と同一膜からなる第2導電層により構成されていることを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1365 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H04N 5/74

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , H04N 5/74 K , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 619 A

Fターム (98件)：

2H092GA59 , 2H092HA25 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB54 , 2H092JB58 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092JB77 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KB14 , 2H092KB23 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA32 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092MA56 , 2H092NA15 , 2H092NA19 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092QA07 , 2H092QA15 , 2H092QA18 , 2H092RA05 , 5C058EA26 , 5F110AA18 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD25 , 5F110EE09 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL14 , 5F110HM03 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN42 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110QQ03 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-058330 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
コンタクト構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094606 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-185640 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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