特許

J-GLOBAL ID：200903014367747079

基板製造方法および基板製造装置

発明者： 今中 崇雄 ,  南方 量二 ,  中村 恒夫 ,  北條 義之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088838
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277136
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】 切り屑なしに確実かつ簡単に、インゴットから基板を製造することができる基板製造方法を提供すること。【解決手段】 インゴット1の内部にレーザ光5の集光点5aを合わせた状態で、上記インゴット1に対して上記レーザ光5の集光点5aを相対的に移動して、上記インゴット1の内部に上記レーザ光5の照射方向に対して略垂直な方向に延在する略面状の多光子吸収による加工領域10を形成する。そして、上記インゴット1における上記加工領域10を境界とした一方側の部分11と他方側の部分12とを上記加工領域12にて分離して、上記インゴット1から基板2を製造する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

インゴットの内部にレーザ光の集光点を合わせた状態で、上記インゴットに対して上記レーザ光の集光点を相対的に移動して、上記インゴットの内部に上記レーザ光の照射方向に対して略垂直な方向に延在する略面状の多光子吸収による加工領域を形成する第1の工程と、 上記インゴットにおける上記加工領域を境界とした一方側の部分と他方側の部分とを上記加工領域にて分離する第2の工程と を備えることを特徴とする基板製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B23K26/00 ,  B28D5/04

FI (3件)：

H01L21/304 611Z ,  B23K26/00 320E ,  B28D5/04 Z

Fターム (12件)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069CA04 ,  3C069EA04 ,  3C069EA05 ,  4E068AE01 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• シリコンインゴット切断装置、シリコンインゴットの切断方法、及びシリコンウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-379470   出願人：株式会社小松製作所
• 基板製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177984   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198014   出願人：信越半導体株式会社

審査官引用 (5件)

• 特開2000-379470
  
• 特開2000-379470
  
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-094918   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 工作物の切断方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-162700   出願人：株式会社デンソー
• 特開2000-379470