薄膜トランジスタおよびそれを用いた半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：作田康夫 , 井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090805
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277238
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】スイッチング素子に、部材の大半がプリント形成可能な有機TFTを用いることにより、表示装置,ICタグ,センサー等の高性能な半導体装置を低コストで提供すること。【解決手段】絶縁基板上に、ゲート電極,絶縁膜,ソース・ドレイン電極,半導体層の各部材から構成される薄膜トランジスタにおいて、前記半導体上には、前記半導体層を密閉し、前記半導体層を保護するために形成された第1の保護膜と、前記第1の保護膜よりも広い領域を覆い、前記部材全体を保護するために形成された第2の保護膜との、少なくとも2層の保護膜を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、ゲート電極,絶縁膜,ソース・ドレイン電極,半導体層の各部材から構成される薄膜トランジスタにおいて、前記半導体上には、前記半導体層を密閉する第1の保護膜と、前記第1の保護膜よりも広い領域を覆う第2の保護膜との、少なくとも2層の保護膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L29/786 , G09F9/30 , H01L51/00 , H05B33/14

FI (5件)：

H01L29/78 618B , G09F9/30 338 , H05B33/14 A , H01L29/78 619A , H01L29/28

Fターム (73件)：

2H092JA26 , 2H092JB57 , 2H092KA09 , 2H092KB24 , 2H092MA10 , 2H092NA17 , 2H092NA18 , 2H092NA29 , 3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN38 , 5F110NN40 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機回路の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-090010 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

審査官引用 (4件)

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-104920 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230447 出願人：株式会社日立製作所
有機半導体装置及びそれを有する表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-027883 出願人：株式会社リコー

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